低温回复主要机理是位错运动和异号位错可以互相吸引而抵消，导致位错密度下降。
错
举一反三
内容
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关于位错增殖正确的说法是() A: 位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级 B: 位错源只有Frank-Read这一种类型 C: F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力 D: F-R源中位错线弯曲成半圆状态时,两端点位错必为同性质、异号位错
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中国大学MOOC: 只有位错运动受到阻碍时，才可能导致位错增殖，否则一个位错滑移出晶体后，位错密度将减少。
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回复退火后，空位密度降低，位错密度有所下降。 A: 正确 B: 错误
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关于位错，以下说法正确的是 A: 金属在退火状态下位错密度较低； B: 金属变形后产生大量位错； C: 位错数量增加后会引起材料的强化； D: 位错运动会消失，所以变形将导致位错数量下降。
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晶体在滑移过程中，（） A: 由于位错不断滑出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B: 由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增加 C: 由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D: 由于位错的消失（移除滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变