关于位错密度与晶体材料，以下说法正确的是
A: 退火后位错密度较低，晶体强度也较低；；
B: 点缺陷的产生冷变形后位错密度升高，晶体强度更低使熵增加；
C: 点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高，强度反而升高；
D: 位错极少的晶须强度很高。
A: 退火后位错密度较低，晶体强度也较低；；
B: 点缺陷的产生冷变形后位错密度升高，晶体强度更低使熵增加；
C: 点缺陷的产生使自由能增加冷变形后位错密度升高，强度反而升高；
D: 位错极少的晶须强度很高。
