原子内层电子跃迁产生的是
A: 靶面
B: 电子源
C: 轨道电子跃迁
D: 特征X线
E: 韧致辐射
A: 靶面
B: 电子源
C: 轨道电子跃迁
D: 特征X线
E: 韧致辐射
D
举一反三
- 连续X射线谱的产生是由于 A: 韧致辐射 B: 靶原子外层电子跃迁辐射 C: 靶原子内层电子跃迁辐射 D: 黑体辐射
- 连续X射线谱的产生是由于 ( ) A: 轫致辐射 B: 靶原子外层电子跃迁辐射 C: 靶原子内层电子跃迁辐射 D: 以上说法均不对
- X射线连续谱的产生是由于 A: 热辐射 B: 黑体辐射 C: 靶原子内层电子跃迁 D: 轫致辐射
- X线特征辐射的产生是由于（） A: 高速运动的电子作用于靶原子的外层电子 B: 高速运动的电子作用于靶原子的内层电子 C: 高速运动的电子作用于靶原子的原子核 D: 高速运动的电子作用于靶原子的光学轨道电子 E: 高速运动的电子作用于靶原子的内层电子和原子核
- 共用题干题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。 有关特征X线的解释，错误的是（） A: 高速电子与靶物质轨道电子作用的结果 B: 特征X线的质取决于高速电子的能量 C: 特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定 D: 靶物质原子序数较高特性X线的能量大 E: 70kVp以下钨不产生K系特征X线
内容
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特征X射线产生的机理是（ ）： A: 高速电子受阻 B: 原子内层电子跃迁 C: 外层电子被打掉 D: 内层电子被打掉
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高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是（） A: 高速电子的动能 B: 靶面物质 C: 管电压 D: 阴极加热电流 E: 有效焦点大小
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A3/A4型题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱，形成空穴。此时，外层（高能级）轨道电子向内层（低能级）空穴跃迁，释放能量，产生X线，称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定，与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时，电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱，故不能产生K系特征X线。 与X线产生无关的因素是（）。 A: 高速电子的动能 B: 靶面物质 C: 管电压 D: 阴极加热电流 E: 有效焦点大小
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特征X射线产生的机理是( ) A: 高速电子受阻 B: 原子内层电子跃迁 C: 外层电子被打掉
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特征X射线产生的机理是( ) A: 高速电子受阻 B: 原子内层电子跃迁 C: 外层电子被打掉