关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 对于某n型半导体构成的金-半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，阻挡层势垒的厚度将逐渐（ ）。 A: 变宽 B: 不变 C: 变窄 D: 以上都不对 对于某n型半导体构成的金-半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，阻挡层势垒的厚度将逐渐（ ）。A: 变宽B: 不变C: 变窄D: 以上都不对 答案： 查看 举一反三 当n型阻挡层外加正电压时，半导体一边的势垒会（ ）。 A: 升高 B: 不变 C: 降低 D: 先升高再降低 将PN结加上适当的正向电压,则空间电荷区将。 A: 变宽 B: 变窄 C: 不变 D: 以上都不对 如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层 PN结加上正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A: 变窄 B: 基本不变 C: 变宽 PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A: 变窄 B: 基本不变 C: 变宽 D: 以上都不正确
