掺杂半导体中多数载流子的浓度
A: 高于本征半导体中载流子的浓度
B: 低于本征半导体中载流子的浓度
C: 等于本征半导体中载流子的浓度
D: 无法确定
A: 高于本征半导体中载流子的浓度
B: 低于本征半导体中载流子的浓度
C: 等于本征半导体中载流子的浓度
D: 无法确定
A
举一反三
内容
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关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
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杂质半导体少数载流子的浓度与本征半导体载流子的浓度一样
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14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的？为什么杂质半导体中少数载流子的浓度比本征半导体中少数载流子的浓度小？
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杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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N 型半导体少数载流子空穴的浓度_ ________ 本征半导体载流子空穴的浓度