一平面电磁波由无损耗媒质垂直入射至无损耗媒质的平面分界面上，分界面上的电场强度为最大值的条件是（）
A: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z大于媒质1的本征阻抗Z
B: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z小于媒质1的本征阻抗Z
C: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z为纯虚数
A: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z大于媒质1的本征阻抗Z
B: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z小于媒质1的本征阻抗Z
C: 媒质2的本征阻抗（波阻抗）Z为纯虚数
举一反三
- 一平面电磁波由无损耗媒质1垂直入射至无损耗媒质2的平面分界面上，分界面上的电场强度为最小值的条件是 A: 本征阻抗Z2大于本征阻抗Z1 B: 本征阻抗Z2小于本征阻抗Z1 C: 本征阻抗Z2等于本征阻抗Z1 D: 本征阻抗Z2为纯虚数
- 均匀平面波从一种本征阻抗 ( 波阻抗) 为 的无耗损媒质垂直入射至另一种本征阻抗为 的无耗媒质的平面上，若> , 则两种媒质中功率的时间平均值 的关系为（ ）。7561cd0c67f29d1f56909b22c593232c.gif53e366706cc89492ce2a66acda09771f.gif7561cd0c67f29d1f56909b22c593232c.gif53e366706cc89492ce2a66acda09771f.gif24a11882f65b5978ffb5ad3bf022c0fa.gif
- 布儒斯特角由()决定 A: 媒质的介电常数 B: 媒质的电导率 C: 媒质的磁导率 D: 媒质的本征阻抗
- 损耗媒质的本征阻抗为（）（①实数，②复数），表明损耗媒质中电场与磁场在空间同一位置存在着（），损耗媒质中不同频率的波其相速度（），因此损耗媒质又称为（）。
- 证明 : 均匀平面波从本征阻抗为[tex=0.857x1.0]mPKNwyVMhtS7/WvoYqNOCQ==[/tex]的无耗媒质垂直入射至另一种本征阻 抗为[tex=0.857x1.0]YDcL3eVh9bIt7u8KoAc07Q==[/tex] 的无耗媒质的平面上,两种媒质中功率密度的时间平均值相等.