N沟道增强型MOS场效应管可以采用如下图所示自偏压电路。[img=226x171]1803b4c64d717a5.png[/img]
举一反三
- 某管特性曲线如下图所示, 则该为[img=227x194]1802eb60bb6bdfd.png[/img] A: P沟道增强型MOS场效应管 B: N沟道结型场效应管 C: N沟道耗尽型MOS场效应管 D: N沟道增强型MOS场效应管
- 某管特性曲线如下图所示, 则该为[img=227x194]1802eb720c8edaa.png[/img] A: P沟道增强型MOS场效应管 B: N沟道结型场效应管 C: N沟道耗尽型MOS场效应管 D: N沟道增强型MOS场效应管
- 已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 某场效应管的转移特性如图 所示，则该管为（）[img=162x95]17e0b479a0077f1.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: N沟道结型场效应管 D: P沟道增强型MOS管
- 如下图所示元件符号表示的元件是（）[img=74x120]180328a22ee3020.jpg[/img] A: N沟道增强型MOS管 B: P沟道增强型MOS管 C: N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管