P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，表面可以导电
举一反三
- P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是 ，此时半导体表面 导电。 A: 电子，可以 B: 空穴。可以 C: 施主离子，不可以 D: 受主离子，不可以
- 中国大学MOOC: P-Sub的理想MOS结构在耗尽时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子，此时半导体表面可以导电
- P-Sub的理想MOS结构在耗尽时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子，此时半导体表面可以导电 A: 正确 B: 错误
- P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子
- 中国大学MOOC: P-Sub的理想MOS结构在耗尽时半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子