关于本征吸收，以下说法正确的是？
A: 是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B: 产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C: 是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D: 产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A: 是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对
B: 产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度
C: 是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量
D: 产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
A,B
举一反三
内容
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光电导效应是光照射半导体材料时，（ ） A: 材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。 B: 导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。 C: 价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。 D: 无
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本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（） A: 本征吸收 B: 杂质吸收 C: 激子吸收 D: 晶格吸收
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入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。
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本征吸收的前提是半导体吸收的光子能量大于其禁带宽度。(<br/>)
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关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子