A: [img=222x101]18038aa2c563115.png[/img]
B: [img=207x85]18038aa2cd78233.png[/img]
C: [img=229x68]18038aa2d6dd366.png[/img]
D: [img=224x69]18038aa2e03ab09.png[/img]
举一反三
- 电磁波从媒质1(介电常数为ε1)斜入射到与媒质2（介电常数为ε2）的分界面上, 若ε1＞ε2，入射角大于（ ）时，会发生全反射。 A: 临界角 B: 透射角 C: 布儒斯特角 D: 反射角
- 均匀平面波从媒质1(ε1, μ1, σ1=0）斜入射到媒质2（ε2, μ2, σ2=0）时，设入射角为[img=13x22]180332dd5fe5338.png[/img]，临界角为[img=14x22]180332dd6829a34.png[/img]，则产生全反射的条件是（ ）。 A: [img=112x23]180332dd702bcd9.png[/img] B: [img=112x23]180332dd78ed189.png[/img] C: [img=112x23]180332dd81875a2.png[/img] D: [img=112x23]180332dd89d23c1.png[/img]
- 均匀平面波从媒质1(ε1, μ1, σ1=0）斜入射到媒质2（ε2, μ2, σ2=0）时，设入射角为[img=13x22]180332dab57e808.png[/img]，临界角为[img=14x22]180332dabe8d645.png[/img]，则产生全反射的条件是（ ）。 A: [img=112x23]180332dac76408f.png[/img] B: [img=112x23]180332dad1c2a68.png[/img] C: [img=112x23]180332dada717bc.png[/img] D: [img=112x23]180332dae294e78.png[/img]
- 均匀平面波从媒质1(ε1, μ1, σ1=0）斜入射到媒质2（ε2, μ2, σ2=0）时，设入射角为[img=13x22]180332de1b922dc.png[/img]，临界角为[img=14x22]180332de24b4e9e.png[/img]，则产生全反射的条件是（ ）。 A: [img=112x23]180332de2e9dd37.png[/img] B: [img=112x23]180332de372e89e.png[/img] C: [img=112x23]180332de4012a71.png[/img] D: [img=112x23]180332de47eea4d.png[/img]
- 均匀平面波从媒质1(ε1, μ1, σ1=0）斜入射到媒质2（ε2, μ2, σ2=0）时，设入射角为[img=13x22]17de8a2ec9ff135.png[/img]，临界角为[img=14x22]17de8a2ed5eb509.png[/img]，则产生全反射的条件是（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
内容
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在两种电介质分界面上，电场的方向会发生改变。已知媒质1与媒质2都为理想介质，且媒质1和媒质2的介电常数分别为[img=15x17]18038aa5e14d271.png[/img]和[img=15x17]18038aa5e94f456.png[/img]，若[img=15x22]18038aa5f1f6f91.png[/img]和[img=15x22]18038aa5fb028da.png[/img]分别表示分界面上的法向[img=16x22]18038aa603be823.png[/img]（由媒质2指向媒质1）与电场强度[img=20x27]18038aa60c193ee.png[/img]、[img=20x27]18038aa6144432a.png[/img]的夹角。则下列描述正确的是（） A: [img=81x47]18038aa61d4dc81.png[/img] B: [img=84x47]18038aa62596138.png[/img] C: [img=81x47]18038aa62e1984b.png[/img] D: [img=93x47]18038aa637cca1f.png[/img]
- 1
1.设随机变量X的密度为[img=186x61]18034ea953ec9dd.png[/img]则常数A=________，概率[img=146x25]18034ea95d30d08.png[/img]__________. A: A=2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] B: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] C: A=2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img] D: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img]
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1.设随机变量X的密度为[img=186x61]17de8981070b17c.png[/img]则常数A=________，概率[img=146x25]17de8981130ab0e.png[/img]__________. 未知类型：{'options': ['A=2，P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=-2，P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=2，P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]', 'A=-2，P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]'], 'type': 102}
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1.设随机变量X的密度为[img=186x61]17de8981070b17c.png[/img]则常数A=________，概率[img=146x25]17de8981130ab0e.png[/img]__________. 未知类型：{'options': ['A=2，P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=-2，P(X>;1|X<;2)=[img=39x24]17de89811f6f1b0.png[/img]', 'A=2，P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]', 'A=-2，P(X>;1|X<;2)=[img=47x44]17de89812b3a28c.png[/img]'], 'type': 102}
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在两种磁介质分界面上，磁场的方向会发生改变。已知媒质1与媒质2都为磁介质，且媒质1与媒质2的磁导率分别为[img=18x18]18038aa63ff79cc.png[/img]和[img=18x18]18038aa648880ae.png[/img]，若[img=15x22]18038aa6524a150.png[/img]和[img=15x22]18038aa65ac46bc.png[/img]分别表示分界面上的法向[img=16x22]18038aa662ede82.png[/img]（由媒质2指向媒质1）与磁场强度[img=22x27]18038aa66b7c41b.png[/img]、[img=22x27]18038aa6745b513.png[/img]的夹角。则下列描述正确的是（） A: [img=83x47]18038aa67cd477b.png[/img] B: [img=86x47]18038aa686f5228.png[/img] C: [img=83x47]18038aa690138e7.png[/img] D: [img=95x47]18038aa699cd543.png[/img]