I 型超晶格是指？
A: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中。
B: 一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的。
C: 一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。
D: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。
A: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中。
B: 一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的。
C: 一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。
D: 窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中。
