中国大学MOOC:对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
举一反三
- 对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
- 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
- 中国大学MOOC: 半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
- 费米能级EF随着掺杂浓度变化的描述不正确的是（ ） A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。 B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近 C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设 D: 以上描述都不正确