关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-29 MOSFET的漏极伏安特性也称为输出特性，可以分为四个区：可调电阻区Ⅰ，放大区Ⅱ，饱和区Ⅲ，击穿区Ⅳ。 MOSFET的漏极伏安特性也称为输出特性，可以分为四个区：可调电阻区Ⅰ，放大区Ⅱ，饱和区Ⅲ，击穿区Ⅳ。 答案： 查看 举一反三 在放大电路中，场效应晶体管工作在漏极特性曲线的（ ）区域 A: 可调电阻区 B: 饱和区 C: 击穿区 D: 负阻区 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的（）。 A: 非饱和区 B: 饱和区 C: 截止区 D: 击穿区 在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的()区域。 A: 可变电阻区 B: 截止区 C: 饱和区 D: 击穿区 场效应管起放大作用时，应工作在漏极输出特性曲线的（ ）。 A: 饱和区 B: 非饱和区 C: 截止区 D: 击穿区 三极管的输出特性特性曲线分为哪些区? A: 饱和区 B: 放大区 C: 集电区 D: 截止区
