随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（ ）时，雪崩倍增因子[img=64x19]1803d5e1f9bcfc8.png[/img]，发生雪崩击穿。
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举一反三
- 随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（ ）时，雪崩倍增因子[img=64x19]1803d5e1f9bcfc8.png[/img]，发生雪崩击穿。 A: [img=108x49]1803d5e20589c90.png[/img] B: [img=108x49]1803d5e20fff06c.png[/img] C: [img=118x49]1803d5e21d326c5.png[/img] D: [img=123x49]1803d5e2257db61.png[/img]
- 中国大学MOOC: 随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（ ）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。
- 随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（）时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。 A: 碰撞电离率小于1 B: 碰撞电离率等于1 C: 碰撞电离率积分等于1 D: 碰撞电离率积分小于1
- 关于pn结雪崩击穿，下列说法正确的包括： A: 来自高反向偏压下，pn结中载流子的倍增效应。 B: 宽pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 C: 窄pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 D: pn结势垒区宽度对雪崩击穿没影响。
- 雪崩击穿是由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流发生的pn结击穿