pn结的接触电势差与下列哪个参数无关？
A: p区空穴浓度
B: n区电子浓度
C: 温度
D: 载流子迁移率
A: p区空穴浓度
B: n区电子浓度
C: 温度
D: 载流子迁移率
举一反三
- PN结的P区一侧电子浓度高，空穴浓度低。
- 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
- PN结的P区一侧，空穴浓度高，电子浓度低。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: VD是指平衡PN结的接触电势差，平衡PN结中，应该是P区电势高，N区电势低
- LED的发光机制是( ) A: PN结区中电场引发漂移载流子复合发光 B: P区空穴与由N区注入的自由电子复合发光 C: 导带自由电子与价带空穴复合发光 D: PN结区中浓度扩散引发载流子复合发光