对于Si突变pn结来说，室温下接触电势差仅和各区的掺杂浓度相关。
对
举一反三
- 在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K时Si突变结的接触电势差VD为() A: 0.736V B: 0.976V C: 0.686V D: 0.876V
- 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
- PN结中掺杂浓度的数量级改变很大时，PN结内建电势差只有微小的变化。 （ ）
- PN结内建电势的大小与（ ）无关 A: 制作PN结的材料 B: 温度 C: PN结面积 D: 掺杂浓度
- 从室温开始，随着温度的增加，非简并半导体的Pn异质结接触的接触电势差减小。
内容
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中国大学MOOC: VD是指平衡PN结的接触电势差，平衡PN结中，应该是P区电势高，N区电势低
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利用单边突变PN结的C-V特性，一般不能同时测量接触电势差和衬底杂质浓度
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在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
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在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
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PN结的内建电势[img=21x22]17de6faac2d751a.png[/img]与（ ）有关。 A: 温度 B: 掺杂浓度 C: 材料种类 D: 外加电压