对于N沟道增强型MOS管，当其漏极输出为高电平时，此时MOS工作在（ ）
A: 截止区
B: 饱和区
C: 可变阻区
A: 截止区
B: 饱和区
C: 可变阻区
A
举一反三
内容
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CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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由MOS管组成的驱动电路中，MOS管工作在（）。 A: 线性区 B: 饱和区 C: 截止区
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n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
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场效应管漏极特性有三个工作区。其中对于N沟道JFET或N沟道增强型MOS管工作在恒流区时的条件是(),工作在可变电阻区时,随着uGS的减小,它的压控电阻RDS就()。
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N沟道增强型MOS管在VGS=0V时，就有导电沟道，可以工作在恒流区。