MOS晶体管的源区、漏区一级源、漏之间的沟道区域通常称为
A: 场区
B: 有源区
C: 衬底区
D: 阱区
A: 场区
B: 有源区
C: 衬底区
D: 阱区
举一反三
- MOS晶体管的源区、漏区以及源、漏之间的沟道区域通常称为: A: 场区 B: 隔离区 C: 有源区 D: 衬底区
- MOS晶体管的源区、漏区一级源、漏之间的沟道区域通常称为:
- 衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>;0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- NMOS晶体管是由埋在______ 衬底中的n型漏区和源区构成，电流是由通过源和漏之间n型沟道的______ 形成。