离子注入不能精确的控制杂质的数量
错误
举一反三
内容
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⑫ 关于离子注入法和热扩散发法掺杂说法错误的是： A: 、导电型杂质掺杂用离子注入法，而热扩散法没有这样要求 B: 、离子注入法会造成晶体物理损伤，热扩散法不会 C: 、离子注入法主要控制电压高低和硅片的移动，热扩散法主要控制扩散的时间和杂质气体的压力 D: 、热扩散法要比离子注入法掺杂控制得更精确
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离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
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以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 A: 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 B: 横向扩散现象很小 C: 很好的杂质均匀性 D: 注入杂质的纯度高，属于低温工艺
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离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高。