中国大学MOOC: 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目是： 。
在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
举一反三
内容
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刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。 A: 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 B: 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 C: 变成刻蚀介质以形成一个凹槽 D: 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
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刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。 A: A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 B: B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 C: C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽 D: D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
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利用化学或物理的方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料,从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程称为: A: 光刻 B: 刻蚀 C: 掺杂 D: 平坦化
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中国大学MOOC: 刻蚀的方法有两类：湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，（）是利用液体化学试剂以化学形式除去硅片表面材料。而（）是利用等离子体辅助来进行刻蚀的技术，刻蚀反应中不涉及液体。
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中国大学MOOC: 利用物理或者化学方法将没有被光刻胶覆盖的下层材料去除的工艺是