下列关于区熔法表述正确的是?
A: 水平区熔法需要坩埚
B: 悬浮区熔法需要坩埚
C: 基座法需要坩埚
D: 焰熔法需要坩埚
A: 水平区熔法需要坩埚
B: 悬浮区熔法需要坩埚
C: 基座法需要坩埚
D: 焰熔法需要坩埚
A
举一反三
内容
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单晶硅制备方式有______ 、______ 、和区熔法/悬浮区熔法。
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目前，合成红宝石的方法有：（）. A: 水热法 B: 焰熔法和助熔剂法 C: 冷坩埚法 D: 导模法和提拉法 E: 气相沉淀法
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合成尖晶石中可见弧形生长纹的属（）法合成。 A: 水热 B: 焰熔 C: 助熔剂 D: 冷坩埚
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悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。 A: 3ｍｉｎ B: 5ｍｉｎ C: 7ｍｉｎ D: 10ｍｉｎ
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悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间()左右。 A: 3min B: 5min C: 10min D: 20min