半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
举一反三
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
- 使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 半导体的导电性介于导体与（ ）之间，受温度、光照和掺杂程度影响极大。
- 智慧职教: 常用于半导体掺杂的掺杂剂有（ ）。