• 2022-11-02
    位错内耗可分为两部分,即( )。
    A: 低振幅下与振幅有关的部分和高振幅下与振幅有关的部分
    B: 低振幅下与振幅无关的部分和高振幅下与振幅有关的部分
    C: 低振幅下与振幅有关的部分和高振幅下与振幅无关的部分
    D: 低振幅下与振幅无关的部分和高振幅下与振幅无关的部分