分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
举一反三
- 在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。 A: 电力设备绝缘表面脏污 B: 电场干扰和磁场干扰 C: 试验引线的设置位置—长度 D: 温度与湿度 E: 周围环境杂物等
- 在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时，应特别注意的外界因素是（）。 A: A电力设备绝缘表面脏污 B: B电场干扰和磁场干扰 C: C试验引线的设置位置—长度 D: D温度与湿度 E: E周围环境杂物等
- 影响测量介质损耗角正切tanδ的主要因素有 A: 外界电磁场的干扰 B: 周围环境温度 C: 试验电压 D: 试品电容量 E: 试品表面漏电程度
- 试讨论影响聚合物电容率和介电损耗的因素。
- 耦合电容器的主要参数是（） A: 标称电容量Cb和绝缘电阻 B: 介质损耗因数tgδ和额定电压 C: 标称电容量Cb和介质损耗因数tgδ D: 标称电容量Cb和高频等效电阻r