存储芯片的基本结构有（ ）
A: 存储矩阵
B: 读写电路
C: 译码驱动
D: 片选控制
A: 存储矩阵
B: 读写电路
C: 译码驱动
D: 片选控制
举一反三
- 半导体存储芯片的基本结构包含（ ） A: 译码电路 B: 存储矩阵 C: 读写电路 D: 时序电路
- 如图所示的双译码结构SRAM存储器中，以下说法不正确的是（）[img=566x398]18036061c991a12.png[/img] A: 该存储器每次只能读写存储矩阵中一个存储元 B: 当对存储元（1,1,）进行读写时，地址A11-A0的值为0x041 C: 存储矩阵的每一列共用一对T7,T8管，用于进行列译码选通控制 D: 存储矩阵的每一列的每一个存储元都有一对T7,T8管，用于进行列译码选通控制
- 某256×1位的存储芯片内部结构为16×16的存储元矩阵，且采用“重合法”的译码驱动方式来选择存储元，则该芯片引脚中地址线的数目为( )。 A: 256 B: 32 C: 16 D: 8
- 比较单译码结构和双译码结构的存储矩阵。
- 如图所示的双译码结构SRAM存储器中，以下说法正确的是（）[img=566x398]18036061d66c81b.png[/img] A: 存储矩阵共有4096个存储元 B: 当对存储元（0,0）进行读写时，地址A11-A0的值为0x000 C: 行地址译码器的输出用于选通存储矩阵某一行 D: 列地址译码器的输出用于选通存储矩阵某一列的左右位线