半导体电阻应变片在测量试件的应变时，电阻的相对变化主要由（ ）来决定的。
A: 贴片位置的温度变化
B: 电阻丝几何尺寸的变化
C: 外接导线的变化
D: 电阻丝材料的电阻率变化
A: 贴片位置的温度变化
B: 电阻丝几何尺寸的变化
C: 外接导线的变化
D: 电阻丝材料的电阻率变化
举一反三
- 金属丝应变片在测量试件的应变时，电阻的相对变化主要由（ ）来决定的。 A: 外接导线的变化 B: 贴片位置的温度变化 C: 电阻丝几何尺寸的变化 D: 电阻丝材料的电阻率变化
- 金属丝应变片在测量应变时，电阻的相对变化主要由( )决定。 A: 贴片位置的温度变化 B: 电阻丝几何尺寸的变化 C: 电阻丝材料的电阻率变化 D: 外接导线的变化
- 电阻应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（ ）来决定的。 A: 电阻丝几何尺寸的变化 B: 电阻丝材料的电阻率变化 C: 贴片位置的温度变化 D: 构件几何尺寸的变化
- 金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（D ）来决定的（） A: 贴片位置的温度变化 B: 电阻丝材料的电阻率变化 C: 外接导线的变化 D: 电阻丝几何尺寸的变化
- 金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由————来决定的。（ ） A: 贴片位置的温度变化 B: 电阻丝几何尺寸的变化 C: 电阻丝材料的电阻率变化