下列不属于CMOS反相器特点的是_______。
A: 静态功耗极低
B: 抗干扰能力较强
C: 电源利用率高
D: 输入阻抗低,带负载能力强
A: 静态功耗极低
B: 抗干扰能力较强
C: 电源利用率高
D: 输入阻抗低,带负载能力强
举一反三
- CMOS集成电路的特点是（ ）。 A: 静态功耗高 B: 电源电压范围窄 C: 输入阻抗低 D: 抗干扰能力强
- 与三极管相比，场效应管具有（）等特点。 A: 输入电阻小、功耗低、抗干扰能力强 B: 输入电阻高、功耗低、抗干扰能力强 C: 输入电阻高、功耗高、抗干扰能力强 D: 输入电阻高、功耗低、抗干扰能力弱
- CMOS门电路的特点:静态功耗()、而动态功耗随着工作频率的提高而()、输入电阻()、抗干扰能力比TTL门电路()。 A: 很大，增加，很大，低 B: 极低，增加，很大，低 C: 极低，减小，很大，高 D: 极低，增加，很大，高
- 与单门限电压比较器相比，滞回电压比较器的显著特点是（）。 A: 功耗低 B: 抗干扰能力强 C: 输入阻抗高 D: 抗干扰能力弱
- CMOS门电路有如下优点：静态功耗极低，抗干扰能力强，电源电压允许变化范围大。（）