对于电注入发光，可以在半导体PN结加正向偏压以产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。
举一反三
- LED的发光机制是( ) A: PN结区中电场引发漂移载流子复合发光 B: P区空穴与由N区注入的自由电子复合发光 C: 导带自由电子与价带空穴复合发光 D: PN结区中浓度扩散引发载流子复合发光
- 【单选题】异质结的超注入现象是指? A. 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。 B. 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。 C. 在异质 pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。 D. 在异质 pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
- 异质结的超注入现象是指？ A: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 B: 在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。 C: 在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 D: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
- PN结加正向电压时,其正向电流是() A: 多数载流子扩散而成 B: 少数载流子扩散而成 C: 少数载流子漂移而成 D: 多数载流子漂移而成
- 聚合物电致发光机理 A: 载流子注入 B: 载流子、空穴迁移向发光层 C: 载流子、空穴复合产生激子 D: 能量传递给发光高分子，激子激发电子跃迁，辐射发光