若半导体中同时存在施主和受主掺杂,且施主掺杂浓度近似等于受主掺杂浓度,则该半导体称为()半导体?
高度补偿
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举一反三
- 以下哪种情况下,半导体为N型的?? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质,且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。
- P型半导体中的掺杂杂质是: A: 施主 B: 受主
- 半导体中掺杂的施主杂质浓度大于受主杂质浓度时,由于杂质补偿作用,半导体会成为P型半导体。
- 半导体中同时存在施主和受主杂质,施主杂质浓度ND,受主杂质浓度NA,若NA >> ND,这时为________半导体,多数载流子是________
- 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni>>/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。
内容
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对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体。在温度足够高、ni>>|ND-NA|时半导体具有( )半导体的导电特性。 A: 非本征 B: 本征 C: 掺杂 D: 补偿
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在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于(),而少子的浓度则受()的影响很大。 A: 掺杂浓度,温度 B: 掺杂工艺,温度 C: 晶体缺陷,掺杂浓度 D: 掺杂工艺,掺杂浓度
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关于杂质半导体,下列描述正确的是( ) A: 在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子; B: 在本征半导体中掺入施主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子; C: 在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得N型半导体,掺杂后空穴为多子,电子为少子; D: 在本征半导体中掺入受主杂质,可以获得P型半导体,掺杂后电子为多子,空穴为少子。
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在掺杂半导体中,少子的浓度受 的影响很大。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 掺杂浓度 D: 压力
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在掺杂半导体中,少子的浓度受 的影响很大 A: 温度 B: 晶体缺陷 C: 掺杂工艺 D: 掺杂浓度