在通常情况下,GaN是直接带隙半导体材料。 ( )
对
举一反三
内容
- 0
si是直接带隙半导体
- 1
【单选题】砷化镓属于()半导体 A. 间接带隙半导体 B. 直接带隙半导体
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根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
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硅是间接带隙半导体材料。
- 4
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。 A: 正确 B: 错误
si是直接带隙半导体
【单选题】砷化镓属于()半导体 A. 间接带隙半导体 B. 直接带隙半导体
根据半导体能带结构的特点,可以将半导体分为直接带隙半导体和()带隙半导体。
硅是间接带隙半导体材料。
通常,半导体材料的带隙比绝缘体的要大。 A: 正确 B: 错误