在某一温度下,某一p型半导体材料,掺杂浓度降低后,其禁带宽度将:
A: 增加
B: 减少
C: 不变
D: 不能确定
A: 增加
B: 减少
C: 不变
D: 不能确定
C
举一反三
内容
- 0
对于一确定的P型半导体材料,一定温度时,增加掺杂受主浓度,费米能级会() A: 上移 B: 下移 C: 不变 D: 与准费米能级移动趋势一致
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对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A: E B: E C: E D: E
- 2
对给定热平衡状态的半导体材料，当温度一定时，如果电子浓度增加，则空穴浓度将 A: 增加 B: 减少 C: 不变 D: 不一定
- 3
在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
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在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料