在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
举一反三
- 在杂质半导体中多子的数量与( )有关。 A: 掺杂浓度 B: 温度
- 在杂质半导体中多子的数量与 （ ）有关； A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 光照 D: 掺杂类型
- 在杂质半导体中多子的数量与（）有关。 A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 体积 D: 质量
- 在杂质半导体中少数载流子的数量主要与 有关。 (a. 掺杂浓度、b.温度) A: 掺杂浓度 B: 温度
- 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。（a. 电子电流、b.空穴电流）