关于热平衡状态下载流子的产生和复合描述不正确的是（ ）
A: 载流子的产生是电子和空穴的生成过程
B: 载流子的复合是电子和空穴消失的过程
C: 热平衡态的任何偏离都能导致电子和空穴浓度的变化
D: 在热平衡状态下，载流子的产生率和复合率不相等
A: 载流子的产生是电子和空穴的生成过程
B: 载流子的复合是电子和空穴消失的过程
C: 热平衡态的任何偏离都能导致电子和空穴浓度的变化
D: 在热平衡状态下，载流子的产生率和复合率不相等
举一反三
- 关于热平衡的描述，错误的是： A: 热平衡是一个绝对静止的状态。 B: 电子和空穴不断产生和复合。 C: 载流子浓度稳定不变。 D: 电子和空穴的产生速度和复合速度相等。
- 5. 非平衡载流子就是（ ）。A. 处于导带还未与价带空穴复合的电子 B. 不稳定的电子-空穴对C. 不停运动着的载流子 D. 偏离热平衡状态的载流子 A: A B: B C: C D: D
- 有关载流子，说法正确的是： A: 原子核带正电，是一种载流子 B: 半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。 C: 本征半导体中，电子和空穴总是成对地产生 D: 半导体中，同时存在载流子的产生和复合过程。
- 以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是 A: 半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子，且[img=64x26]1803809c99eaad6.png[/img]。 B: 半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级。 C: 半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡。 D: 在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态。 E: 在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态。 F: 在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态。 G: 半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级。 H: 半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征。
- 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（） A: 非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动 B: 非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动 C: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动 D: 平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动