关于热平衡状态下载流子的产生和复合描述不正确的是（ ）
A: 载流子的产生是电子和空穴的生成过程
B: 载流子的复合是电子和空穴消失的过程
C: 热平衡态的任何偏离都能导致电子和空穴浓度的变化
D: 在热平衡状态下，载流子的产生率和复合率不相等
A: 载流子的产生是电子和空穴的生成过程
B: 载流子的复合是电子和空穴消失的过程
C: 热平衡态的任何偏离都能导致电子和空穴浓度的变化
D: 在热平衡状态下，载流子的产生率和复合率不相等
D
举一反三
- 关于热平衡的描述，错误的是： A: 热平衡是一个绝对静止的状态。 B: 电子和空穴不断产生和复合。 C: 载流子浓度稳定不变。 D: 电子和空穴的产生速度和复合速度相等。
- 5. 非平衡载流子就是（ ）。A. 处于导带还未与价带空穴复合的电子 B. 不稳定的电子-空穴对C. 不停运动着的载流子 D. 偏离热平衡状态的载流子 A: A B: B C: C D: D
- 有关载流子，说法正确的是： A: 原子核带正电，是一种载流子 B: 半导体中有两种载流子：自由电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。 C: 本征半导体中，电子和空穴总是成对地产生 D: 半导体中，同时存在载流子的产生和复合过程。
- 以下关于“热平衡状态”和“非平衡状态”的描述正确的是 A: 半导体处于热平衡状态时，有确定的载流子浓度，即平衡载流子，且[img=64x26]1803809c99eaad6.png[/img]。 B: 半导体处于热平衡状态时，整个材料具有统一的费米能级。 C: 半导体处于热平衡状态时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡。 D: 在外界作用下，半导体中额外产生了载流子，即非平衡载流子，半导体进入非平衡状态。 E: 在外界作用下，如果载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，此时半导体为热平衡态。 F: 在外界作用下，稳定时，载流子的产生过程与复合过程达到动态平衡，载流子浓度具有确定的值，但此时半导体为非平衡态。 G: 半导体处于非平衡态时，整个材料不具有统一的费米能级。 H: 半导体处于非平衡态时，导带电子的分布用导带准费米能级表征，价带空穴的分布用价带准费米能级表征。
- 对均匀半导体施加均匀电场，并在表面光注入非平衡载流子，此时半导体中的载流子运动不包括：（） A: 非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动 B: 非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动 C: 平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动 D: 平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
内容
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过剩载流子的复合描述不正确的是（ ） A: 过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同 B: 直接的带间复合是一种自发行为 C: 电子和空穴的复合率是时间的函数 D: 复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例
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半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
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本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（） A: 电子载流子 B: 空穴载流子 C: 电子载流子和空穴载流子
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关于本征半导体下列说法正确的是 A: 纯净的半导体称为本征半导体 B: 电子与空穴成对出现，且数量和温度无关 C: 有电子和空穴两种载流子 D: 在一定条件下，产生的电子-空穴和复合的电子-空穴对数量相等，达到动太平衡
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平衡与非平衡情况下载流子的产生和复合的实质就是产生率和复合率的失衡。（ ）