考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A: 降低
B: 不变
C: 升高
D: 无法判断
A: 降低
B: 不变
C: 升高
D: 无法判断
举一反三
- 中国大学MOOC: 考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将( )
- 金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（ ） A: 不变 B: 增加 C: 减小 D: 无法确定
- 将一接地的导体B移近一带正电的孤立导体A时，A的电势。（） A: 升高 B: 降低 C: 不变 D: 无法判断
- 已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且在平衡状态下，金属一侧的空穴势垒高度比半导体一侧空穴势垒高度大[img=36x22]1802f7f8ec9debe.png[/img]，则该p型半导体为( )半导体。 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 D: 无法判断
- 金属的温度升高时，导电能力（ ） A: 增强 B: 降低 C: 不变 D: 无法判断