金属与半导体形成欧姆接触的一种方式是使半导体的表面掺杂浓度大于（ ）。
A: 1015/㎝3
B: 1017/㎝3
C: 1019/㎝3
D: 1021/㎝3
A: 1015/㎝3
B: 1017/㎝3
C: 1019/㎝3
D: 1021/㎝3
举一反三
- 在实际情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？ A: 金属和重掺杂的半导体接触，使得半导体一侧的势垒很薄，电子的输运主要以隧道效应为主，形成欧姆接触 B: 金属和n型半导体接触，形成电子阻挡层，即为欧姆接触 C: 金属和p型半导体接触，形成空穴阻挡层，即为欧姆接触 D: 金属和n型半导体接触，形成电子反阻挡层，即为欧姆接触 E: 金属和p型半导体接触，形成空穴反阻挡层，即为欧姆接触
- 制作NTC热敏电阻的材料是一种： A: 金属导体 B: 绝缘体 C: 半导体 D: 金属导体或半导体
- 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
- 怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触