金属和P型半导体接触时,当金属功函数大于半导体功函数,理想情况下会形成()。
A: 肖特基接触
B: 欧姆接触
A: 肖特基接触
B: 欧姆接触
举一反三
- 金属和P型半导体接触时,当金属功函数小于半导体功函数,理想情况下会形成()。 A: 肖特基接触 B: 欧姆接触
- 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
- 在理想情况下，金属和半导体接触，如何形成欧姆接触？? 金属和n型半导体接触，形成电子的反阻挡层，即为欧姆接触|金属和n型半导体接触，形成电子的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的阻挡层，即为欧姆接触|金属和p型半导体接触，形成空穴的反阻挡层，即为欧姆接触
- 不考虑表面态的影响，当金属与p型半导体接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，则会形成阻挡层
- 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 A: 正确 B: 错误