关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-04 热平衡时，均匀掺杂非简并的p型半导体，表面电势小于零时，半导体表面多子发生积累。 热平衡时，均匀掺杂非简并的p型半导体，表面电势小于零时，半导体表面多子发生积累。 答案： 查看 举一反三 热平衡时，均匀掺杂非简并的p型半导体，半导体的表面能级相对于半导体内部向下弯曲，则半导体表面的电子密度可能大于本征载流子密度。 热平衡时，均匀掺杂非简并的n型半导体，半导体的表面能级相对于半导体内部向下弯曲，则半导体表面的空穴密度可能大于本征载流子密度。 静电平衡时,导体是等势体,导体表面是等势面,且表面电势等于导体的电势 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。 在静电场中的导体静电平衡后，可以断定（ ） A: 导体内部电势为零； B: 导体表面电势为零； C: 导体内部电场为零； D: 导体表面电场为零。
