相同条件下，电子迁移率（）空穴迁移率.
A: 小于
B: 等于
C: 大于
D: 不确定
A: 小于
B: 等于
C: 大于
D: 不确定
C
举一反三
- 关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是： A: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值。 B: 迁移率反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。 C: 电子的迁移率为正。 D: 电子的迁移率大于空穴的迁移率。 E: 电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正。 F: 电子的迁移率小于空穴的迁移率。 G: 电子的迁移率等于空穴的迁移率。
- 电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。 A: 大于 B: 等于 C: 小于 D: 无法比较
- 同一块半导体中，电子的有效质量小于空穴的有效质量，所以电子的迁移率（ ）空穴的迁移率。 A: 小于 B: 大于 C: 等于 D: 无法比较
- 对给定的杂质浓度，电子与空穴的少子迁移率均大于相同杂质浓度下的多子迁移率。
- 关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是： A: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值 B: 迁移率反映载流子在电场中漂移运动的难易程度 C: 电子的迁移率为正 D: 电子的迁移率大于空穴的迁移率 E: 电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正 F: 电子的迁移率小于空穴的迁移率 G: 迁移率反映载流子在浓度梯度作用下运动的难易程度
内容
- 0
对给定的杂质浓度，电子与空穴的少子迁移率均大于相同杂质浓度下的多子迁移率。 A: 正确 B: 错误
- 1
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
- 2
关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是？ A: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值 B: 电子的迁移率等于空穴的迁移率 C: 电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正 D: 迁移率反映载流子在浓度梯度作用下运动的难易程度
- 3
关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是？ A: 迁移率是单位电场强度下载流子的平均漂移速度的绝对值 B: 电子的迁移率等于空穴的迁移率 C: 电子的迁移率为负，空穴的迁移率为正 D: 迁移率反映载流子在浓度梯度作用下运动的难易程度
- 4
重掺杂n型硅中电子的迁移率较相同掺杂浓度下空穴的迁移率大。（ ）