增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。
A: UGS=0
B: UGS>;UGS(th)
C: UGS>;0
D: UGS<;0
A: UGS=0
B: UGS>;UGS(th)
C: UGS>;0
D: UGS<;0
举一反三
- N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
- 当uGS增大到uGS(th)时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于