最有效的复合中心能级位置在 附近;最有利陷阱作用的能级位置在 附近。
A: EA或ED Ei
B: Ei EA或ED
C: EF Ei
D: Ei
E:
F:
A: EA或ED Ei
B: Ei EA或ED
C: EF Ei
D: Ei
E:
F:
D
举一反三
内容
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关于“陷阱”，以下说法正确的是： A: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应 B: 在禁带中线附近时，最有利于陷阱效应 C: 陷阱的存在缩短了少子的寿命 D: 陷阱中心是浅能级杂质
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金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
- 2
图示结构EI为常数，在荷载作用下，B截面转角（顺时针为正）=（）。 A: 3480/EI B: 1752/EI C: 1704/EI D: 3482/EI
- 3
系统中元素ei 的可达集 R(ei)，先行集A(ei)，则ei 为最上级单元的条件是? A: R(ei)=R(ei)∪A(ei) B: R(ei)=R(ei)∩A(ei) C: A(ei)=R(ei)∪A(ei) D: A(ei)=R(ei)∩A(ei)
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静定结构的位移与EA、EI的关系是：