在双极型晶体管中，当发射极开路时，集电极-基级的反向电流定义为[img=33x22]18036f7e154d7cb.png[/img]；当基极开路时，集电极-发射级的反向电流定义为[img=33x22]18036f7e1eba440.png[/img]。β为共射级电流放大系数。则[img=33x22]18036f7e154d7cb.png[/img]与[img=33x22]18036f7e1eba440.png[/img]的关系应满足（）。
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举一反三
- 当BJT发射极开路时，集电极-基级的反向电流定义为[img=33x22]180315a4d1721a3.png[/img]。在硅晶体管中 ，该反向电流与集电结势垒区宽度[img=22x17]180315a4da2b2a0.png[/img]的关系近似为（ ）。 未知类型：{'options': ['与[img=22x17]180315a4e26a05a.png[/img]成正比', '与[img=22x46]180315a4eadbe4c.png[/img]成正比', '与[img=29x25]180315a4f30fb81.png[/img]成正比', '与[img=29x25]180315a4fb76bf4.png[/img]成正比'], 'type': 102}
- 当BJT发射极开路时，集电极-基级的反向电流定义为[img=33x22]17de938023e3465.png[/img]。在硅晶体管中 ，该反向电流与集电结势垒区宽度[img=22x17]17de9380312b6bd.png[/img]的关系近似为（ ）。 未知类型：{'options': ['与[img=22x17]17de9380312b6bd.png[/img]成正比', '与[img=22x46]17de9380407ee6b.png[/img]成正比', '与[img=29x25]17de93804db237c.png[/img]成正比', '与[img=29x25]17de93805d90e40.png[/img]成正比'], 'type': 102}
- 定义双极型集电极开路时发射极-基极的击穿电压为[img=49x22]180315a3fbde9d4.png[/img]。定义发射极开路时集电极-基极的击穿电压为[img=50x22]180315a404fe91d.png[/img]。两者大小关系为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', '无法确定'], 'type': 102}
- 设f(x)是连续函数，且[img=115x41]17e441a9264b227.jpg[/img]，则f(7)=. 未知类型：{'options': ['0', ' [img=11x33]17e4362bee12768.jpg[/img]', ' [img=18x33]17e43d9ae21f42d.jpg[/img]', ' 1'], 'type': 102}
- 定义BJT集电极开路时发射极-基极的击穿电压为[img=49x22]18036f7e499bdb6.png[/img]，发射极开路时集电极-基极的击穿电压为[img=50x22]18036f7e530c06f.png[/img]。两者的大小关系为（）。 未知类型：{'options': ['', '', '', '与晶体管材料有关'], 'type': 102}