在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V
A: 0.1
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
A: 0.1
B: 0.3
C: 0.5
D: 0.7
C
举一反三
内容
- 0
硅二极管的死区电压约为（）。 A: 0.2 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 1
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 2
硅二极管的导通电压约为（ ）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.6 D: 0.7
- 3
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为V（） A: 0.5 B: 0.7 C: 0.3 D: 0.1
- 4
中国大学MOOC: 在常温下，硅二极管的死区电压约为（）V