随着工艺节点不断推进，沟道长度越来越短，阈值电压随之增大。（ ）
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
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以N沟道增强型MOSFET为例，衬底偏置电压使阈值电压增大。
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假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
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衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
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随着飞机飞行速度的提高，飞机的机翼相对于机身来说（） A: 越来越短 B: 越来越长 C: 越来越宽 D: 没有变化
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MOSFET的阈值电压与沟道长度绝对无关