关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-11-01 双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是 A: 该复合电流影响对硅管大,对锗管小 B: 该复合电流影响对锗管大,对硅管小 C: 该复合电流影响对两种管子同样大 D: 该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定 双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是 A: 该复合电流影响对硅管大,对锗管小B: 该复合电流影响对锗管大,对硅管小C: 该复合电流影响对两种管子同样大D: 该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定 答案： 查看 举一反三 中国大学MOOC: 双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是 关于硅管和锗管特性比较说法正确的是（） A: 硅管的死区电压和导通电压大 B: 硅管的反向电流大，单向导电性和温度稳定性好 C: 锗管死区电压和导通电压小，反向电流大 D: 锗管的单向导电性和温度稳定性较差 在相同温度下，硅管的反向电流比锗管 A: 大 B: 小 通常情况下，锗材料的半导体管比硅材料的管子漏电流要大（） 锗管比硅管的特性受温度的影响小
