以下关于肖特基二极管的说法，错误的是 。
A: 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。
B: 反应恢复时间很短。
C: 反向耐压提高时正向压降会降低。
D: 多用于200伏以下的低压场合
A: 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。
B: 反应恢复时间很短。
C: 反向耐压提高时正向压降会降低。
D: 多用于200伏以下的低压场合
举一反三
- 下列关于肖特基二极管和快恢复二极管的说法正确的是()。 A: 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管 B: 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 C: 快恢复二极管的正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。 D: 肖特基二极管具有正向压降低、反向恢复时间很短,而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合
- 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SBD，简称为肖特基二极管。
- 关于肖特基二极管说法正确的是（） A: 肖特基是指一种半导体材料 B: 肖特基二极管反向恢复时间介于快恢复二极管与超快恢复二极管之间 C: 肖特基二极管正向压降相对整流二极管高 D: 肖特基二极管的缺点是反向电压难以做高，一般不大于200V
- 有关肖特基二极管的优点,不正确的是 A: 反向恢复时间很短 B: 正向恢复过程中不会有明显的电压过冲 C: 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小 D: 反向漏电流较小
- 以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V