关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（） A: 功函数为3.5eV的半导体 B: 功函数为3eV的半导体 C: 功函数为4eV的半导体 D: 功函数为4.2eV的半导体 考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层（）A: 功函数为3.5eV的半导体B: 功函数为3eV的半导体C: 功函数为4eV的半导体D: 功函数为4.2eV的半导体 答案： 查看 举一反三 如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 当金属的功函数小于半导体的功函数，金属和N型半导体接触形成阻挡层。 金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。 不考虑表面态，金属和p型半导体接触，如果金属功函数小于半导体功函数，则称它们接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触曾
