下面关于PN结的反向击穿特性，描述正确的是：
高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时，一般为齐纳击穿。PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对，使反向击穿电流激增。低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时，一般为雪崩击穿。
举一反三
- PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述PN结的反向击穿特性。____
- 下面关于PN结的反向击穿特性，描述正确的是：（ ） A: PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对，使反向击穿电流激增。 B: 高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时，一般为齐纳击穿。 C: 低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时，一般为雪崩击穿。 D: 电击穿和热击穿均为可逆的击穿，不会损坏PN结。
- PN结电流方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。
- 中国大学MOOC: 关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有
- 稳压管是利用的PN结的反向击穿特性。 A: 正确 B: 错误
内容
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稳压管是利用的PN结的反向击穿特性。
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PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
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半导体二极管稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。 A: PN结的单向导电性 B: PN结的反向击穿特性 C: PN结的死区特性 D: PN结的反向截止特性
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稳压管的稳压是利用下列什么特性实现的:（ ） A: PN结的单向导电性 B: PN结的正向导通特性 C: PN结的反向击穿特性 D: PN结的反向截止特性
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稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性制作的