下面关于硅、锗二极管伏安特性的比较，描述错误的是：
举一反三
- 制作二极管的主要材料是____,如硅和锗等。二极管的伏安特性可简单理解为____和____的特性。导通后,硅管的压降约为0.7V,锗管的压降约为____。如果二极管的正、反向电阻都很小,则该二极管____。
- 二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
- 14.3.1二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少伏？
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- (1分)【单选题】测量一个二极管的正向导通电压为0.56V,那么这个二极管是硅管还是锗管 A: 锗管 B: 硅管