已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
举一反三
- 如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（ ）导电为主 A: 电子 B: 杂质 C: 空穴 D: 本征
- 在本征半导体中，电子和空穴浓度关系为？ （ ） A: 电子浓度等于空穴浓度 B: 电子浓度大于空穴浓度 C: 电子浓度小于空穴浓度 D: 不确定
- 在N型半导体中，空穴浓度大于电子浓度。
- 中国大学MOOC: 若一个硅半导体是以电子为多数载流子，则该材料的费米势应该小于0
- P型半导体的特征是？ A: 导带的电子浓度小于价带的空穴浓度。 B: 导带的电子浓度大于价带的空穴浓度。 C: 导带的电子浓度等于价带的空穴浓度。 D: 施主杂质的浓度等于受主杂质的浓度。 E: 电子浓度和空穴浓度均为0。