一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.lµs
1)若采用异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少？
2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
1)若采用异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少？
2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
举一反三
- 一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？
- 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问: （1）需要多少片DRAM芯片？ （2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
- 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
- 以下为某动态RAM的的刷新时间分配示意图如下,它的刷新方式为 A: 集中刷新 B: 分散刷新 C: 上图不是刷新时间分布图 D: 异步刷新
- 用16K × 1位的DRAM芯片构成64K × 8位的存储器。要求： （1）画出该存储器组成的逻辑框图。 （2）设存储器读 / 写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存贮单元刷新一遍，所需实际刷新时间是多少？